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二極管的光刻工藝具體步驟

返回列表來源:壹芯微 發布日期 2019-03-11 瀏覽:-

壹芯微作為國內專業生產快恢復二極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分析一些知識或者客戶的一些問題,來出來分享,今天我們分享的是,二極管的光刻工藝具體步驟,請看下方

為制造二極管,我們只能在隔離的區域內進行摻雜,而不是在整個圓片上進行摻雜。此外,還需要在器件上制作接觸和互連。本節講述怎樣利用光刻在圓片上制造微小精確的結構。光刻中,用具有精確限制結構的掩膜在各步工藝中阻擋圓片的某些部分。

  我們來看看怎樣制作簡單的二極管(圖1),p型圖片覆蓋上一層氧化層,接著是一層光刻膠,如圖(a),光刻膠是光敏有機化合物,通常旋涂到硅片上。經光照射會發生化學反應,對于正膠,顯影會去除曝光后的光刻膠。對于負膠,顯影會去除沒有曝光的部分。加上掩膜版,只有在掩膜版透明的地方光刻膠才會被曝光。然后顯影,在光刻膠上留下圖形。
  接下來,圓片放在離子注入機中。施主離子注入氧化層(后面會被去除)和襯底中。半導體被離子轟擊的地方成為n型。這樣,n+阱就在p型襯底上生成。注意施主的注入數目必須超過背景受主濃度,才能使注入區成為n型。
  下一步,生成新的氧化層,這一層用另一個掩膜來限制離子注入,生成p型歐姆接觸的p+層。
  生長另一層氧化層,再在圓片上旋涂一層光刻膠。采用第三層掩膜版,形成制作接觸的兩個孔,當生成下一層金屬時,通過前面剩下的氧化層和p型襯底絕緣。
  最后形成金屬圖形,制作p區和n區的電接觸。接觸通過氧化層上的通孔形成。

  圖1 是二極管制造中的光刻。

快恢復二極管

    圖2中是用來制作16M比特的存儲器芯片的其中一個掩膜。掩膜版制作的比較大,再經過投影縮小

快恢復二極管

圖2 16M比特的存儲器芯片的三個掩膜。掩膜版制作的較大,然后再投影縮小到最終的尺寸。 

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