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場效應MOS管SSP4N60B參數

PD最大耗散功率:100WID最大漏源電流:4AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:600VRDS(ON)Ω內阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通態電流:2AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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    深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
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