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[行業資訊]STD3NK50Z參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:16 ]
STD3NK50Z參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文參數,STD3NK50Z封裝引腳圖,STD3NK50Z數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)STD3NK50Z場效應管封裝TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 極高的dv/dt能力· ESD改進能力)· 100%雪崩測試· 新的高壓基準· 柵極電荷最小化絕對最大額定值(TC=25°C,除非
http://www.albertken.com/Article/std3nk50zc_1.html3星
[行業資訊]TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:05 ]
TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文參數,TK3P50D封裝引腳圖,TK3P50D數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)TK3P50D場效應管封裝TO-252特征開關穩壓器(1) 低漏源導通電阻:RDS(ON)=2.3Ω(典型值)(2) 高前向轉移導納:|Yfs|=1.0S(典型值)(3) 低漏電流:IDSS=10µA(最大值)(VDS=500 V)(4) 增強模式:Vth=2.4至4.4V(VDS=10V,ID=1mA)絕對最大額定值(TC=25&de
http://www.albertken.com/Article/tk3p50dcsz_1.html3星
[行業資訊]IRFR420A參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:34 ]
? 低柵極電荷Qg導致簡單驅動要求 ? 改進的門限、雪崩和動態dV/dt堅固性 ? 充分表征電容和雪崩電壓和電流 ? 指定有效成本 ? 材料分類:用于合規性定義 應用:開關電源(SMPS),不間斷電源供應,高速電源切換
http://www.albertken.com/Article/irfr420acs_1.html3星
[行業資訊]SVF3N50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 14:09 ]
SVF3N50D/MJ,N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。先進的工藝及原胞結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高 的雪崩擊穿耐量。 該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源,DC-DC電源轉換器,高壓H橋PWM馬達驅動。
http://www.albertken.com/Article/svf3n50dcs_1.html3星
[行業資訊]FIR5N50LG,TO-252,中文參數,引腳圖,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-25 13:52 ]
FIR5N50BPG,LG硅N溝道增強型VDMOSFET,采用自對準平面技術獲得,可降低傳導損耗,提高開關性能并增強雪崩能量。 該晶體管可用于系統的各種電源開關電路小型化和更高的效率。 封裝形式為符合RoHS標準的TO-251。
http://www.albertken.com/Article/fir5n50lgt_1.html3星
[行業資訊]HFD5N40,TO-252,中文參數,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 15:32 ]
· 原創新設計 · 卓越的雪崩堅固技術 · 強大的柵極氧化技術 · 極低的固有電容 · 優良的開關特性 · 無與倫比的柵極電荷:13 nC(典型值) · 擴展安全操作區 · 降低 RDS(ON) ? 7\S #9GS=10V · 100% 雪崩測試
http://www.albertken.com/Article/hfd5n40to2_1.html3星
[行業資訊]AP02N40H-HF參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 15:21 ]
AP02N40系列來自創新設計和硅工藝技術,以實現盡可能低的導通電阻和快速開關性能。 它為設計師提供具有極其高效的設備,可用于各種功率應用程序。TO-252封裝廣泛適用于商業工業表面貼裝應用,適用于低電壓應用如DC/DC轉換器。
http://www.albertken.com/Article/ap02n40hhf_1.html3星
[行業資訊]IRFR320參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 14:51 ]
第三代功率MOSFET提供了設計師與快速切換的最佳組合,堅固耐用的設備設計,低導通電阻和成本效益。DPAK設計用于使用蒸汽進行表面安裝相位、紅外或波峰焊接技術。 直的引線版本(IRFU、SiHFU系列)用于通孔安裝應用。 功耗水平高達1.5W在典型的表面貼裝應用中是可能的。
http://www.albertken.com/Article/irfr320csz_1.html3星
[行業資訊]SPD02N50C3場效應管參數 (MOS管) SPD02N50C3規格書參數代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 13:39 ]
SPD02N50C3場效應管參數 (MOS管) SPD02N50C3規格書參數代換〔壹芯微〕SPD02N50C3中文參數,SPD02N50C3封裝引腳圖,SPD02N50C3數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)SPD02N50C3場效應管主要參數(最大額定值):漏源電壓(VDSS):560V柵源電壓(VGSS):±20V雪崩電流(IAR):1.8A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):1.8A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID):1.1A漏極電流-脈沖(IDPlus):5.
http://www.albertken.com/Article/spd02n50c3_1.html3星
[行業資訊]SDU05N04場效應管參數 (MOS管) SDU05N04規格書參數代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:58 ]
SDU05N04場效應管參數 (MOS管) SDU05N04規格書參數代換〔壹芯微〕SDU05N04中文參數,SDU05N04封裝引腳圖,SDU05N04數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)SDU05N04場效應管主要參數(最大額定值):漏源電壓(VDSS):400V柵源電壓(VGSS):±30V漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):4A漏極電流-連續(TJ=70°C)(ID):3.3A漏極電流-脈沖(IDM):12A單脈沖雪崩能量(EAS):2.5mJ功耗(TC=25°
http://www.albertken.com/Article/sdu05n04cx_1.html3星
[行業資訊]FDD5N50場效應管參數 (MOS管) FDD5N50規格書參數代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:17 ]
FDD5N50場效應管參數 (MOS管) FDD5N50規格書參數代換〔壹芯微〕FDD5N50中文參數,FDD5N50封裝引腳圖,FDD5N50數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)FDD5N50場效應管主要參數(最大額定值):漏源電壓(VDSS):500V柵源電壓(VGSS):±30V雪崩電流(IAR):4A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):4A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID):2.4A漏極電流-脈沖(IDM):16A單脈沖雪崩能量(EAS):256mJ重復雪崩能量
http://www.albertken.com/Article/fdd5n50cxy_1.html3星
[行業資訊]CJU04N65場效應管參數 CJU04N65參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:45 ]
CJU04N65場效應管參數 CJU04N65參數資料規格書〔壹芯微〕CJU04N65參數資料,選型替代,CJU04N65封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS):650V柵源電壓(VGSS):±30V漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):4.0A漏極電流-脈沖(IDM):16A單脈沖雪崩能量(EAS):280mJ功耗(TC=25°C)(PD):1.25W工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG):-55~+150°С焊接的最高引線溫度(TL):260°
http://www.albertken.com/Article/cju04n65cx_1.html3星
[行業資訊]JCS5N50RT場效應管參數 JCS5N50RT參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:38 ]
JCS5N50RT場效應管參數 JCS5N50RT參數資料規格書〔壹芯微〕JCS5N50RT參數資料,選型替代,JCS5N50RT封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS):500V柵源電壓(VGSS):±30V雪崩電流(IAR):5A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):5A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID):3.16A漏極電流-脈沖(IDM):20A單脈沖雪崩能量(EAS):305mJ重復雪崩能量(EAR):10.1mJ二極管恢復峰值(dv/dt):4.
http://www.albertken.com/Article/jcs5n50rtc_1.html3星
[行業資訊]TK5P50D場效應管參數 TK5P50D參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:09 ]
TK5P50D場效應管參數 TK5P50D參數資料規格書〔壹芯微〕TK5P50D參數資料,選型替代,TK5P50D封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS):500V柵源電壓(VGSS):±30V雪崩電流(IAR):2A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):2.8A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID):1.8A漏極電流-脈沖(IDM):9A單脈沖雪崩能量(EAS):120mJ重復雪崩能量(EAR):60mJ二極管恢復峰值(dv/dt):50V/ns功耗(TC=
http://www.albertken.com/Article/tk5p50dcxy_1.html3星
[行業資訊]AOD3N50場效應管參數 AOD3N50參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-16 18:06 ]
AOD3N50場效應管參數 AOD3N50參數資料規格書〔壹芯微〕AOD3N50參數資料,選型替代,AOD3N50封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS):500V柵源電壓(VGSS):±30V雪崩電流(IAR):2A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):2.8A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID):1.8A漏極電流-脈沖(IDM):9A單脈沖雪崩能量(EAS):120mJ重復雪崩能量(EAR):60mJ二極管恢復峰值(dv/dt):50V/ns功耗(TC=
http://www.albertken.com/Article/aod3n50cxy_1.html3星
[行業資訊]RJK5030DPD場效應管參數 RJK5030DPD參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-16 17:54 ]
RJK5030DPD場效應管參數 RJK5030DPD參數資料規格書〔壹芯微〕RJK5030DPD參數資料,選型替代,RJK5030DPD封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓VDSS:500V柵源電壓VGSS:30V漏極電流ID:5A漏極峰值電流ID(脈沖):20A雪崩電流IAP:5A通道耗散Pch:41.7W通道到外殼的熱阻抗符號θch-c:3.0C/W通道溫度Tch:150C儲存溫度Tstg:-55至+150C〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商,主營各類貼片與直插,二極管、三極管、MOS(場效應管)、可
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[行業資訊]TSM6N50CP場效應管參數 TSM6N50CP參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-16 17:45 ]
TSM6N50CP場效應管參數 TSM6N50CP參數資料規格書〔壹芯微〕TSM6N50CP參數資料,選型替代,TSM6N50CP封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS):500V柵源電壓(VGSS):±30V雪崩電流(IAR):5A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):5.6A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID):3A漏極電流-脈沖(IDM):15A單脈沖雪崩能量(EAS):180mJ功耗(TC=25°C)(PD):90W工作與貯存溫度范圍(TJ,
http://www.albertken.com/Article/tsm6n50cpc_1.html3星
[行業資訊]TK4P60DA場效應管參數 TK4P60DA參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-15 15:26 ]
TK4P60DA場效應管參數 TK4P60DA參數資料規格書〔壹芯微〕TK4P60DA參數資料,選型替代,TK4P60DA封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS):600V柵源電壓(VGSS):±30V雪崩電流(IAR):3.5A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):3.5A漏極電流-脈沖(IDP):14A單脈沖雪崩能量(EAS):132mJ重復雪崩能量(EAR):8mJ功耗(TC=25°C)(PD):80W工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG):-55~150&d
http://www.albertken.com/Article/tk4p60dacx_1.html3星
[行業資訊]TK4P50D場效應管參數 NDD05N50ZT4G參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-15 15:17 ]
TK4P50D場效應管參數 TK4P50D參數資料規格書〔壹芯微〕TK4P50D參數資料,選型替代,TK4P50D封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓(VDSS):500V柵源電壓(VGSS):±30V雪崩電流(IAR):4A漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):4A漏極電流-脈沖(IDP):16A單脈沖雪崩能量(EAS):114mJ重復雪崩能量(EAR):8mJ功耗(TC=25°C)(PD):80W工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG):-55~150°С熱阻-結
http://www.albertken.com/Article/tk4p50dcxy_1.html3星
[行業資訊]NDD05N50ZT4G場效應管參數 NDD05N50ZT4G參數資料規格書〔壹芯微〕[ 2021-12-15 13:56 ]
NDD05N50ZT4G場效應管參數 NDD05N50ZT4G參數資料規格書〔壹芯微〕NDD05N50ZT4G參數資料,選型替代,NDD05N50ZT4G封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家NDD05N50ZT4G主要參數:漏源電壓(VDSS):500V柵源電壓(VGSS):±30V漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):4.7A漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID):3A漏極電流-脈沖(IDM):19A單脈沖雪崩能量(EAS):130mJ二極管恢復峰值(dv/dt):4.5V
http://www.albertken.com/Article/ndd05n50zt4g_1.html3星

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